基于纵向双RESURF概念的沟槽型SOI横向功率器件新结构及模型研究

项目名称： 基于纵向双RESURF概念的沟槽型SOI横向功率器件新结构及模型研究

项目编号： No.61404014

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 胡盛东

作者单位： 重庆大学

项目金额： 24万元

中文摘要： 针对SOI 横向功率器件耐压（BV）与比导通电阻（Ron,sp）矛盾关系问题，项目提出“纵向双RESURF”概念，结合现有沟槽技术及介质场增强技术，研究基于该概念的沟槽型SOI器件结构与模型。项目有两项创新： 1）提出基于纵向双RESURF概念的SOI横向功率器件新结构。利用纵向双RESURF效应优化漂移区电场，降低比导通电阻，同时界面积累高浓度电离施主能有效增强埋氧层电场，在超薄埋氧层衬底上实现高BV、低Ron,sp的高性能SOI功率器件。 2）提出新结构的耐压模型。着眼于物理层面揭示新结构高BV、低Ron,sp的机理，对漂移区进行分区求解二维Poisson方程，建立BV及Ron,sp模型，获得纵向双RESURF判据，用以指导器件设计。 项目期望能为改善SOI功率器件BV与Ron,sp矛盾关系提供一种新的科学途径并奠定一定理论基础，是与国际同步的超前性应用基础研究，创新明显。

中文关键词： 绝缘体上的硅；击穿电压；比导通电阻；降低表面场；增强介质场

英文摘要： Aiming at the problem of the tradeoff between the breakdown voltage (BV) and the specific on-resistance (Ron,sp) for SOI lateral power device, a new concept of vertical double-RESURF is proposed. Structure and model are researched for a novel SOI power

英文关键词： Silicon On Insulator；Breakdown Voltage；Specific On-resistance；Reduced Surface Field；Enhanced Dielectric Layer Field