应变Si组合发射区SOI SiGe HBT BiCMOS器件研究与设计

项目名称： 应变Si组合发射区SOI SiGe HBT BiCMOS器件研究与设计

项目编号： No.61404019

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 王冠宇

作者单位： 重庆邮电大学

项目金额： 23万元

中文摘要： 本项目针对SiGe BiCMOS集成电路性能提升的应用需求，将SOI衬底技术及应变技术优势同时引入到SiGe BiCMOS工艺中，形成应变Si组合发射区HBT/应变CMOS全平面SOI BiCMOS器件。该器件结构新颖、性能增强，对其深入研究具有重要的理论意义和应用价值。为此，本项目重点研究应变Si组合发射区HBT器件发射区中应变Si层对HBT器件电学特性的影响；分析SOI衬底致HBT器件集电区基本电学参数的变化及其与核心参数的关系；揭示SOI衬底与应变CMOS器件结构和性能的关系；基于器件电学特性的分析，优化器件结构参数，设计出高性能的应变Si组合发射区SOI HBT及SOI BiCMOS器件结构；开展BiCMOS反相器仿真研究，验证BiCMOS性能提高的程度。通过以上研究，为BiCMOS集成电路性能的提高及应用奠定理论和实践基础。

中文关键词： 绝缘体上硅锗；应变硅发射极；异质结双极晶体管；BiCMOS；能带结构

英文摘要： With the fast-growing markets in wireless communication, there is an increasing demand for low-power and high-performance microwave and millimeter-wave SiGe BiCMOS integrated circuits. The flexibility of the silicon-on-insulator (SOI) device architecture

英文关键词： S(G)OI；Strained-Si emitter；HBT；BiCMOS；Band structure