高速低压长保持力GaAs MOS为基量子点非挥发性存储器研究

项目名称： 高速低压长保持力GaAs MOS为基量子点非挥发性存储器研究

项目编号： No.61404055

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 刘璐

作者单位： 华中科技大学

项目金额： 26万元

中文摘要： 以高速低压长保持力GaAs MOS为基量子点(QD)非挥发性存储器为研究目标，设计制备新型Al-HfO2-InxGa1-xAs(QD)-HfO2-GaAs栅堆栈结构，重点研究InxGa1-xAs量子点的制备技术及最佳隧穿层厚度的确定。通过将未掺杂量子点嵌入HfO2并调整In含量至合适值来获得最佳隧穿势垒和阻挡势垒，以实现最佳量子点电荷陷阱及隧穿层的合理减薄，达到降低工作电压、提高编程/擦除速度之目的；通过对量子点尺寸及分布最佳化，获得大的存储窗口，以利于多值存储。由于HfO2高的k值，可设计较大物理厚度获得小的隧穿层等效氧化物厚度，使工作速度提高的同时，获得好的保持力；通过淀积TaON钝化层改善界面特性，消除费米能级钉扎。将研究MOCVD制备量子点和栅介质的最佳工艺和条件, 研制出相应的GaAs量子点存储器原型样品。由于量子点与高k介质的有效结合，有望使器件工艺节点等比缩小到10nm以下。

中文关键词： 量子点存储器；GaAs MOS；界面钝化；存储特性；

英文摘要： The project aims at small-scalled GaAs MOS-based quantum dot (QD) nonvolatile memory with high speed, low operating voltage and long retention. A new stacked gate structure of Al-HfO2-InxGa1-xAs(QD)-HfO2-GaAs is proposed and prepared, where fabrication te

英文关键词： Quantum dot memory；GaAs MOS；Interface passivation；Storage characteristics；