双元素复合掺杂SiC基稀磁半导体的制备与物性研究

项目名称： 双元素复合掺杂SiC基稀磁半导体的制备与物性研究

项目编号： No.50902037

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 宋波

作者单位： 哈尔滨工业大学

项目金额： 20万元

中文摘要： 宽带隙半导体SiC具有高热导、高击穿场强、高饱和电子迁移率和抗辐射等一系列优异的物理、化学性质，是制作高温、高频、大功率、抗辐射自旋电子器件的理想材料。针对SiC基稀磁半导体在掺杂过程中容易出现的多型化问题，本项目以SiC基稀磁半导体为研究对象，首次提出开展双元素(具有稳定SiC晶型作用的Al元素与另外一种元素)可控复合掺杂SiC单相样品的制备和物性测试等工作。项目拟采用固相反应法制备样品, 利用SQUID等磁性测试技术, 结合x射线衍射、电镜分析和化学成分分析等表征手段,系统地研究双元素复合掺杂SiC的磁性特征，探索可能的双元素掺杂SiC不同于其它体系的新现象、新规律。分析双元素掺杂SiC的磁性作用机制，研究双元素之间的相互作用规律。揭示微观结构与物理性能之间的关系，建立可能存在的双元素掺杂SiC磁性来源的新机制,对拓展SiC基自旋器件的应用具有重要意义。

中文关键词： 掺杂；磁性；碳化硅；；

英文摘要：

英文关键词： doped；magnetic；SiC；；