极短沟道MOST的二维器件模型与电路模拟器器件模型统一建模的研究

项目名称： 极短沟道MOST的二维器件模型与电路模拟器器件模型统一建模的研究

项目编号： No.61376098

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 柯导明

作者单位： 安徽大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 这个项目提出了用半解析方法和边界层方法，对45-14nm的MOSFET电学特性分析模型和电路模拟器的器件电学特性模型统一建模。项目将利用申请人已有的工作基础，借鉴流体力学边界层理论的成功经验，给出MOST的二维电势和准二维电流的半解析解，表面势的闭合半解析解，亚阈值区电势与电流/电容半解析表达式,高精度的无适配参数的阈值电压半解析表达式，高k栅电学特性的半解析模型；SOI MOSFET亚阈值区的伏安特性二维半解析解。这些半解析模型可用作MOS器件电学特性分析和电路模拟器的器件模型，提供了高精度、高计算效率、有明确的物理意义和预见性的显表达式，为预测45-14nm 高k栅结构MOSFET的电学特性提供了一条可能的途径。

中文关键词： 多角形区域；第一类边界条件；积分方程组；广义傅里叶级数；统一模型

英文摘要： This project has suggested a study of unified modeling for analysis models of electrical characteristics and device models of circuit simulator on MOSFETs of 45 nm-14nm by the semi-analytical method and boundary layer method. Based on the existing workin

英文关键词： polygonal region；first boundary condition；integral equation set；generalized Fourier series；unified model