MoS2薄膜的超高真空原位生长、表征和性质调控

项目名称： MoS2薄膜的超高真空原位生长、表征和性质调控

项目编号： No.11374140

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 李绍春

作者单位： 南京大学

项目金额： 89万元

中文摘要： 单层MoS2薄膜由于具有类石墨烯的电子结构和特有性质，有望成为未来半导体工业中的一个重要材料。在微观尺度上理解MoS2薄膜的基本物理特性将会推动其在微纳米电子学和自旋电子学等领域的应用。 在本项目中，我们将系统研究超高真空原位大尺度、高质量、层厚可控的MoS2薄膜的分子束外延制备。在此基础上，利用极低温强磁场扫描隧道显微镜在原子尺度和自旋分辨率情况下研究其 MoS2的形貌和电子结构。通过剪裁界面工程和量子尺寸效应、非平衡动力学生长等方法优化薄膜的生长模式和形貌；通过掺杂等方法实现带隙结构及其它电子结构的调控；通过在薄膜中引入磁性元素，探索薄膜中的自旋动力学、自旋电荷散射和自旋耦合等基本量子物理过程，探索MoS2的奇特量子现象。

中文关键词： 扫描隧道显微镜；薄膜生长；1T'-WTe2；ZrTe5；

英文摘要： Due to its intrinsic direct band gap at single layer limit and its unique physical properties, single layer MoS2 is promising material in the future semiconductor industry, which therefore has recently stimulated increasing attention in both fundamental r

英文关键词： scanning tunneling microscopy；Film growth；1T'-WTe2；ZrTe5；