(In,Ga)2Te3一维纳米结构及其核壳复合材料的可控制备与光电性能研究

项目名称： (In,Ga)2Te3一维纳米结构及其核壳复合材料的可控制备与光电性能研究

项目编号： No.21373065

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 何军

作者单位： 国家纳米科学中心

项目金额： 81万元

中文摘要： 碲化物半导体材料由于其独特的物理化学性质，在光电能源转化、信息通信及光学传感等领域展现出广阔的应用前景。针对当前In2Te3，Ga2Te3一维纳米线及其光、电性能研究空白，在充分考虑到各组分蒸气压差异较大、阳离子空位及自补偿效应等影响因素的基础上，本研究拟开展(In, Ga)2Te3一维结构及其二类能带结构核壳复合材料的可控制备，并通过掺杂、气氛补偿等多种手段进行光、电性能调控。进一步利用(In, Ga)2Te3一维结构开展光电探测器、场效应晶体管研究；而利用核壳复合纳米结构开展光催化研究。通过系统、深入地研究和优化空位、尺寸、形貌、复合组分及界面效应对光探测及光催化性能的影响，揭示(In, Ga)2Te3一维结构及其复合材料的光电转换机制，预期将取得一系列创新性成果，从而对新型光电转换材料的研究和应用起到极大的推动作用。

中文关键词： 碲化物；光电探测器；场效应晶体管；光催化；低维材料

英文摘要： Due to most of their bandgaps distribute between 1.2eV and 3.7eV, covering a wide light range from the ultraviolet to the near infrared, chalcogenide compounds have shown great potential in applications of photovoltaic, information and photodetection. As

英文关键词： Telluride；photodetectors；FET；photocatalysis；low dimensional materials