小尺寸低压高速长保持力电荷陷阱型悬浮栅存储器的研究

项目名称： 小尺寸低压高速长保持力电荷陷阱型悬浮栅存储器的研究

项目编号： No.60976091

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 徐静平

作者单位： 华中科技大学

项目金额： 39万元

中文摘要： 研究高速低电压长保持力小尺寸MONOS型闪存的核心技术- - 新型超薄IrO2-HfAlO-AlN-HfON/SiO2-Si多层堆栈高k栅介质的制备方法和技术。从隧道势垒工程和电荷陷阱工程入手，重点研究超薄HfON/SiO2高k/低k双隧道层、高陷阱能力和效率AlN电荷存储层以及高k HfAlO阻挡层的制备技术以及淀积后快速热退火技术；将对HfON隧道层的N含量、HfAlO层的Al含量、AlN层中陷阱分布和性质以及各层的厚度进行最佳化研究，实现最佳隧道势垒和阻挡势垒以及最佳电荷陷阱，在大大降低工作电压的同时，获得快的编程/擦除速度，大的存储窗口以及优良的10年数据保持力。将研究反应磁控共溅射法原位制备上述栅介质的最佳工艺和条件以及介质的最佳物理和化学结构,研制出相应的MONOS 型存储器原型样品。由于合适的高k介质堆栈结构，有望使新型悬浮栅EEPROM存储器的尺寸等比缩小到20-30 nm。

中文关键词： 电荷陷阱型存储器；MONOS存储器；高k介质；存储层；隧穿层

英文摘要：

英文关键词： Charge-trapping memory；MONOS memory；high-k dielectric；charge storage layer；tunneling layer