若干宽带隙A2IIIB3VI基半导体的能带结构、微结构与热电特性

项目名称： 若干宽带隙A2IIIB3VI基半导体的能带结构、微结构与热电特性

项目编号： No.51171084

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 崔教林

作者单位： 宁波工程学院

项目金额： 60万元

中文摘要： A2IIIB3VI基半导体化合物是一类在结构上较为特殊的宽带隙层状结构材料，具有很高的Seebeck系数及低的热导率和电导率，但该类化合物对掺杂极为敏感。In2Se3和Ga2Te3是两种比较典型的宽带隙半导体，内部均有1/3阳离子位置空缺。本课题研究不同掺杂后内部形成新化合物组元及禁带内产生杂质能级情况，通过修饰能带结构，收缩禁带宽度，以大幅度改善材料的电学性能；研究制备工艺，释放原被周期性空穴面包围着的纳米畴，获取含超结构、无序-纳米畴等复合组织，从而在不需要加大冷速的前提下方便地突破晶格热导率的低限；研究不同掺杂后Ga2Te3基半导体材料内部部分周期性空穴面的消除及空穴面之间面间距的变化情况，研究微结构与能带结构的关联性。在相同组成材料体系中实现"既可修饰能带结构以改善电学性能又可通过调控微结构以大幅度降低晶格热导率"的思想。上述研究对拓展传统热电材料种类及研究思路具有重要的科学价值。

中文关键词： 宽带隙半导体；A2IIIB3VI型热电材料；缺陷；能带结构；周期性空位面

英文摘要：

英文关键词： Wide gap semiconductors；A2IIIB3VI thermoelectric materials；defects；band structures；periodical vacancy plane