ULSI制造中的铜互连层低压力平坦化技术基础

项目名称： ULSI制造中的铜互连层低压力平坦化技术基础

项目编号： No.90923025

项目类型： 专项基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 金洙吉

作者单位： 大连理工大学

项目金额： 50万元

中文摘要： 本项目针对下一代ULSI芯片制造中低强度Cu/Low-k结构表面的高效低压力平坦化加工要求以及目前低强度Cu/Low-k结构表面平坦化加工中存在的问题，提出含高介电常数纳米磨粒的电化学机械抛光（ECMP）专用电解液方案，研究含高介电常数纳米磨粒电解液对电解液中金属离子迁移的影响机制和规律、抛光垫表面几何特征和组织特性对含纳米磨粒电解液流动性的影响规律、铜互连层ECMP过程中的物理化学作用及材料去除机理，以及铜互连层高效高精度低压力平坦化工艺，研制含高介电常数纳米磨粒的新型ECMP专用电解液和具有开槽结构的ECMP专用抛光垫。通过对低强度Cu/Low-k结构表面高效超精密低压力平坦化加工的基础理论与关键技术系统深入的研究，为我国下一代ULSI芯片制造提供拥有自主知识产权的高效超精密加工理论和技术。对促进我国微电子制造技术的跨越式发展具有重要的科学价值和理论意义。

中文关键词： 集成电路；铜互连层；平坦化；电解液；

英文摘要：

英文关键词： Integrated Circuit；Copper interconnection；Planarization；Electrolyte；