用同步辐射X射线漫散射研究p型ZnO性能退化的微结构根源

项目名称： 用同步辐射X射线漫散射研究p型ZnO性能退化的微结构根源

项目编号： No.10979057

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 王焕华

作者单位： 中国科学院高能物理研究所

项目金额： 36万元

中文摘要： p型ZnO作为下一代紫外激光器、紫外发光二极管、空间太阳能电池等光电器件的核心材料，具有重大的应用价值和诱人的应用前景。但是，p型ZnO性能退化问题是目前ZnO材料应用的瓶颈。尽管国内外对其制备方法进行了大量的研究和改进，但由于各种缺陷的补偿作用，至今还没有获得低电阻率且随时间稳定的p型材料。解决这个问题的关键是先从微观结构上搞清楚p-ZnO性能退化的根源，一个有力的研究手段是同步辐射X射线漫散射。本项目拟在BSRF漫散射站现有的基础上完善同步辐射X射线漫散射技术，利用它研究不同工艺掺杂的p型ZnO的缺陷结构及其随时间和环境的变化，找出p-ZnO的微观结构与宏观导电性质的对应关系，揭示其性能退化在缺陷结构上的原因和表现，为解决p型ZnO这一技术瓶颈提供科学依据，同时也以之为切入点推动同步辐射X射线漫散射方法在国内的发展和应用。

中文关键词： X射线漫散射；宽禁带半导体；p型ZnO；缺陷结构；性能退化

英文摘要：

英文关键词： diffuse x-ray scattering；wide bandgap semiconductor；p-type ZnO；defects structure；performance degradation