薄势垒增强型AlGaN/GaN HEMT及可靠性研究

项目名称： 薄势垒增强型AlGaN/GaN HEMT及可靠性研究

项目编号： No.61404097

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 曹艳荣

作者单位： 西安电子科技大学

项目金额： 26万元

中文摘要： 本课题将致力于薄势垒增强型AlGaN/GaN HEMT器件制备及可靠性研究。在前期研究的基础上，通过引入AlN层、调整表面钝化层等方法改善器件饱和电流，采用“自对准”工艺避免器件刻蚀损伤简化工艺流程，得到特性稳定的器件；通过研究上述器件在高场高温应力下的薄势垒隧穿电流产生陷阱物理机制及陷阱对栅泄漏电流、击穿特性等相关可靠性问题的影响，探索相关退化机制及规律，重点关注陷阱与各可靠性问题间的相关性研究，建立陷阱相关的寿命预测模型，得到器件结构、工艺参数、应力条件等对器件特性的影响，为提高器件可靠性提供参考；在上述研究的基础上，综合考虑各可靠性问题间的相关性，提出改善器件可靠性的相关措施，同时保障增强型器件的特性参数，并根据改进后样品测试结果进一步修正相关理论及模型。通过本课题的研究，旨在得到特性良好、可靠性高的薄势垒增强型AlGaN/GaN HEMT器件，从而为其在实际中的应用和推广奠定基础。

中文关键词： AlGaN/GaN；薄势垒；可靠性；应力；泄漏电流

英文摘要： The project will study the fabrication and reliability of the enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT devices with thin barrier layer. Based on previous theoretical and experimental researches, we will improve the saturation current by introducing the AlN layer a

英文关键词： AlGaN/GaN；thin barrier；reliabiltiy；stress；leakage current