衍射限电子储存环的深度集成仿真和原型多极冲击磁铁研制

项目名称： 衍射限电子储存环的深度集成仿真和原型多极冲击磁铁研制

项目编号： No.11175182

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 王琳

作者单位： 中国科学技术大学

项目金额： 60万元

中文摘要： 未来先进同步辐射光源之一衍射限电子储存环以超高亮度、优秀相干性和超高稳定性为主要特征。超低束流发射度和超高稳定性要求，令衍射限储存环对各种扰动因素更加敏感，非理想磁场扰动、各类振动和变形、电源和高频系统噪音、束流注入过程、束流与真空室间通过尾场相互作用、束流与残余气体分子和离子间相互作用、反馈系统的阻尼作用及束测系统内噪音的扰动等都会影响束流品质。各种扰动的激发与阻尼效应综合起来，现有针对特定物理现象或过程的数值模拟程序很难准确地定量描述衍射限储存环表现，为光源设计提供可靠依据。计算机科学技术的飞速发展令系统集成仿真技术成为科学研究中的强大工具，为准确预测衍射限储存环光源的表现提供新机遇。本课题将发展基于并行计算环境与技术的衍射限储存环深度集成仿真软件，数值研究各种扰动因素对光源表现的综合影响。本课题将数值研究在衍射限储存环应用脉冲多极矩注入原理的可性性和优点，研制关键元件-多极冲击磁铁。

中文关键词： 数值仿真；PIC/MC；超低发射度电子储存环；脉冲八极磁铁注入；

英文摘要：

英文关键词： numerical emulation；PIC/MC；ultra low beam emittance storage ring；pulsed octupole magnet injection scheme；