一种用于紫外探测器的新型ZnO基全氧化物透明异质结的制备与性能研究

项目名称： 一种用于紫外探测器的新型ZnO基全氧化物透明异质结的制备与性能研究

项目编号： No.60906005

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 庄琳

作者单位： 中山大学

项目金额： 22万元

中文摘要： 我们已获得了紫外响应率良好的p-LiNiO/n-ZnO全氧化物透明异质结器件。ZnO与其它氧化物（如MgO, CdO, In2O3）的搀杂可有效改善合金薄膜的导电性能、禁带宽度及晶体结构，我们首次报道了电阻率小于10-2Ω的立方相InMgZnO三元搀杂薄膜，在充分利用ZnO高激子能量的同时实现薄膜的导电性能、带宽及晶体结构的可调。那么，可否实现紫外响应率同样优良的p-LiNiO/n-InMgZnO全透明异质结器件？本课题提出利用脉冲激光沉积的方法在晶格常数匹配的单晶衬底上外延生长全氧化物透明异质结p-LiNiO/n-InMgZnO器件，旨在验证器件在紫外探测器应用领域的可行性及高温可操控性，同时阐明离子搀杂对ZnO载流子浓度、禁带宽度以及异质结器件性能影响的机理，为更好的利用透明搀杂氧化物半导体以及氧化物光电器件的发展提供理论依据。

中文关键词： InMgZnO；异质结；紫外探测；掺杂；脉冲激光沉积

英文摘要：

英文关键词： InMgZnO；heterojunction；UV detector；doping；pulsed laser deposition