ZnO基稀磁半导体薄膜及其ZnO/GaN异质结自旋LED研究

项目名称： ZnO基稀磁半导体薄膜及其ZnO/GaN异质结自旋LED研究

项目编号： No.50972139

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 余庆选

作者单位： 中国科学技术大学

项目金额： 36万元

中文摘要： 室温稀磁半导体材料对于半导体自旋电子器件的应用具有十分重要的意义。本项目采用共掺杂技术制备出室温铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜和室温磁性ZnO/GaN异质结系列样品，测量不同磁场下和不同温度时的异质结的I-V特性，电致发光性质。结合异质结界面性能表征和理论分析的结果，从微观的角度探讨界面缺陷，界面的极性，界面态密度分布的行为及其与异质结的电子输运，磁性质和光学性质的联系。最终获得自旋取向的磁性ZnO/GaN异质结发光二极管原型器件的极化电致发光，为ZnO基DMS的应用和自旋电子学提供有创新性的成果。

中文关键词： 铁磁性；氧空位；异质结；电阻转换；重构

英文摘要：

英文关键词： Ferromagnetism；Oxygen vacancy；Heterojunctions；Resistive switching；Structural reconstruction