p型二维δ层稀磁半导体的居里温度随形变提高的机制研究

项目名称： p型二维δ层稀磁半导体的居里温度随形变提高的机制研究

项目编号： No.11204131

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 朱岩

作者单位： 南京航空航天大学

项目金额： 25万元

中文摘要： 稀磁半导体（DMS）的应用瓶颈是其低于室温的居里温度，这与磁性原子间的长程作用有关。针对当前DMS的理论研究多局限于磁矩间的局域耦合，本项目继承了二维长程有序的δ层概念，并与形变相结合进行研究。同时，传统理论认为空穴的引入能增大DMS的磁交换能进而提高居里温度。为寻找超过室温的DMS，在已有的研究基础上，我们需综合δ层概念、形变和p型掺杂三种因素，从理论上研究以δ-(Ga,Mn)As为主的δ-DMS，揭示磁交换能增强的途径，对其维度有关的磁学性能，形变机制，空穴作用以及界面效应等进行系统研究。从而为低维体系的稀磁半导体研究提供新的结果。并为新型半导体的设计制造提供理论支持。

中文关键词： 稀磁半导体；δ层形变；p型掺杂；第一性原理；磁交换能

英文摘要： The research of Diluted Magnetic Semicondutor (DMS) is limited by the Curie temperature lower than room temperature. Recently, the theory research of DMS is mainly on the local effect between magnetic atoms. We will consider the 2 dimensional long range o

英文关键词： DMS；δ layer shape deformation；p-dopant；First principle calculations；exchange energy