非极性面高Al组分AlGaN基深紫外LED外延材料与器件的研究

项目名称： 非极性面高Al组分AlGaN基深紫外LED外延材料与器件的研究

项目编号： No.60906023

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 吴志浩

作者单位： 华中科技大学

项目金额： 22万元

中文摘要： 本项目针对传统c 面氮化物半导体中普遍存在的极化效应，以及高Al组分AlGaN材料中特有的对缺陷极为敏感、易龟裂、低电导性等导致发光效率降低的问题，拟在r面蓝宝石衬底上开展a面高Al组分AlGaN材料的外延生长研究，以消除极化效应；通过采用表面迁移增强型的MOCVD生长方法，促进薄膜的二维生长,提高AlGaN材料中马赛克状分布的亚晶粒的尺寸，消除高Al组分AlGaN外延材料中由内秉张应力造成的龟裂问题；并采用凹槽图案化的模板，进行横向外延再生长技术以减少缺陷、降低张应力，最终获得高质量的非极性面高Al组分AlGaN材料。研究非极性面高Al组分AlGaN材料的n型与p型掺杂物理性质，优化n型与p型掺杂浓度和载流子迁移率。设计和优化深紫外发光的AlGaN量子阱，提高有源发光区的深紫外发光效率。在以上工作的基础上，研究与制备出非极性面高Al组分AlGaN深紫外光发射器件。

中文关键词： AlGaN；紫外LED；MOCVD；非极性面；

英文摘要：

英文关键词： AlGaN；UV-LED；MOCVD；Non-polar；