ⅡA族和Ⅳ族元素掺杂及缺陷诱导AlN稀磁半导体的理论和实验研究

项目名称： ⅡA族和Ⅳ族元素掺杂及缺陷诱导AlN稀磁半导体的理论和实验研究

项目编号： No.11164026

项目类型： 地区科学基金项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 物理学I

项目作者： 吴荣

作者单位： 新疆大学

项目金额： 58万元

中文摘要： 常见的稀磁半导体的工作多集中以含有局域d电子或者f电子磁性物质研究领域，其研究受到低的居里温度和磁性掺杂元素固溶度等问题的困扰。若半导体本身能实现铁磁性，这将是对自旋电子学的一个扩展。本课题以AlN为研究对象，采用溅射、化学气相沉积、分子束外延和前、后期处理技术，进行非磁性ⅡA族和Ⅳ族元素掺杂和缺陷诱导铁磁性的研究，形成AlN基薄膜和纳米结构稀磁半导体的生长方法、研究物相结构和磁性，认识非磁性元素掺杂和缺陷导致的AlN基材料稀磁性的规律。研究中将第一性原理计算和实验调控结合，阐明材料的微观电子结构对样品铁磁性的影响和磁输运性质，为非磁性元素掺杂和缺陷导致的新型稀磁半导体的制备探索具有实验价值的生长方式，为其在自旋光电子器件中的应用奠定基础。

中文关键词： AlN；稀磁半导体；掺杂；非磁性元素；缺陷

英文摘要：

英文关键词： AlN；DMSs；doping；non-magnetic elements；defect