基于多铁/庞磁阻纳米管的阻变存储器研究

项目名称： 基于多铁/庞磁阻纳米管的阻变存储器研究

项目编号： No.10904117

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 电工技术

项目作者： 刘威

作者单位： 武汉大学

项目金额： 23万元

中文摘要： 阻变式存储器 (resistive random accessmemory, RRAM)是以材料的电阻在外加电场作用下可在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的一类前瞻性下一代非挥发存储器。这种器件一般由氧化物薄膜材料制备。与氧化物薄膜相比，纳米管线可具多方面的优异性能，其研究具有重要的理论意义和广泛的应用前景。本项目拟利用溶胶法与多孔模板法等多种技术手段与方法，在氧化铝模板上制备多铁/庞磁复合纳米管线及其有序阵列。研究多铁/庞磁纳米管线的生长过程与机理；优化制备条件，制备出具有均匀大小、形状规则、取向一致的复合纳米管线及其长程有序阵列。研究纳米尺寸效应对复合纳米管线的极化取向的影响，研究和发展多种表征多铁纳米管线的微结构、取向、铁电和磁电耦合等性能的技术手段和方法。探索复合纳米管线在新型超高密度阻变存储器(RRAM)和新型纳微磁电传感器件等领域的可能应用途径与方式。

中文关键词： 纳米管；纳米马达；循环肿瘤细胞；；

英文摘要：

英文关键词： nanotube；nanomotor；CTC；；