多元氧化物高介电系数介质材料在电荷存储器件中的应用研究

项目名称： 多元氧化物高介电系数介质材料在电荷存储器件中的应用研究

项目编号： No.50972054

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 刘治国

作者单位： 南京大学

项目金额： 40万元

中文摘要： 为应对传统的SONOS结构电荷存储器件在进一步小型化过程中遇到的物理及材料科学方面的问题，本课题将开展氧化物高介电系数介质材料在电荷存储器件方面的应用研究。利用高介电系数氧化物介质取代隧穿层的SiO2，获得小的与SiO2的等效厚度，降低漏电流。利用特定组份多元氧化物材料来取代Si3N4作为电荷俘获材料，借助于介质材料在高温退火时氧化物纳米晶在非晶基体中析出的性质来提高电荷俘获数量，防止俘获的电荷发生侧向扩散来提高器件的保持特性。探索设计含不同氧化物高介电系数介质的多层电荷俘获材料结构来增加器件的电荷俘获数量，设计单层含有不同氧化物高介电系数氧化物介质电荷俘获材料来调节器件电荷俘获特性的新途径。利用氧化物高介电系数介质材料取代SiO2作为阻挡层材料来获得小的与SiO2等效厚度的同时，有效阻止所俘获的电荷向栅极迁移。系统研究基于高介电系数介质材料的电荷存储器件的电荷存储机理及保持特性。

中文关键词： 电荷俘获；ZrO2纳米晶；生长动力学；纳米片层；能带排列

英文摘要：

英文关键词： charge trapping；ZrO2 nanocrystallite；growth kinetic；nanolaminate；band alignment