电阻随机存储器三维集成技术研究

项目名称： 电阻随机存储器三维集成技术研究

项目编号： No.61176033

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 张志刚

作者单位： 清华大学

项目金额： 70万元

中文摘要： 针对非挥发性存储器发展趋势及实际应用需要，本课题集中研究电阻随机存储器三维集成技术。主要研究内容包括：（1）基于三维集成需要遴选阻变存储器件（RRAM）材料，优化材料组分，制备、改进并稳定材料沉积控制技术。（2）提出新型RRAM器件结构，设计模拟三维集成RRAM电路等新型存储技术，探索适宜三维叠层集成的RRAM存储器件结构和选择晶体管器件结构，研究三维集成中多层堆叠的工艺控制，建立RRAM器件理论模型和可靠性评测方法。（3）通过对存储器件结构及操作原理、三维集成存储技术以及存储电路等方面的融合性研究，研究具有多位纠错能力的ECC算法和自纠错电路，开发面向三维集成的存储器电路系统架构技术。基于新存储单元构建电路系统，设计新型存储器验证电路。探索符合低压低功耗发展趋势的新一代非挥发性电阻随机存储器关键技术。

中文关键词： 阻变存储器；多值存储技术；三维集成；堆叠；可靠性

英文摘要：

英文关键词： resistive random access memory；multi-bit (multi-level) technology；3D integrate technology；stack；reliability