GaN体单晶生长基础研究

项目名称： GaN体单晶生长基础研究

项目编号： No.50823009

项目类型： 专项基金项目

立项/批准年度： 2009

项目学科： 化学工业

项目作者： 郝霄鹏

作者单位： 山东大学

项目金额： 140万元

中文摘要： （1）以6H-SiC单晶作为籽晶，采用氢化物气相外延方法(HVPE)生长GaN单晶；利用理论模拟，优化温场分布及气体浓度分布，研究各种工艺条件对GaN单晶生长的影响；（2）采用固相反应方法、离子液方法进行GaN粉末材料的合成，研究各种实验条件对GaN物相、形貌以及颗粒均匀性的影响；（3）研究各种助熔剂体系与GaN的相互作用，探索助熔剂方法生长GaN单晶的工艺技术；（4）GaN单晶生长机理及晶体完整性的研究；研究GaN单晶中缺陷和杂质的形成规律，深入研究不同方法生长GaN的机理，探讨缺陷和杂质的形成与生长过程的关系，以此为基础，优化生长参数，最终获得具有高完整性的GaN单晶。

中文关键词： 氮化镓；HVPE；SiC衬底；半导体单晶；

英文摘要：

英文关键词： Gallium nitride；HVPE；SiC substrate；Semiconductor crystal；