基于硅通孔的三维集成电路故障诊断

项目名称： 基于硅通孔的三维集成电路故障诊断

项目编号： No.61376043

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 李晓维

作者单位： 中国科学院计算技术研究所

项目金额： 80万元

中文摘要： 基于硅通孔垂直绑定晶片的三维芯片，由于能够显著提高芯片集成度和性能，已成为集成电路发展的重要趋势之一。作为一种新型设计制造技术，三维芯片亟需高效的故障诊断技术快速准确定位工艺偏差和物理缺陷引发的各类故障，快速提高成品率。本项目拟围绕三维集成电路故障诊断，研究面向三维芯片的"非侵入式"工艺偏差提取和时延故障诊断技术，相对于传统"侵入式"工艺偏差提取技术，将显著降低硬件开销并提高诊断精度；研究面向"可诊断性"的三维芯片扫描链设计技术，相对于传统"就近连接"的扫描链设计技术，将显著提高三维芯片中各个晶片上所发生的物理缺陷的诊断精度；在上述两项研究内容的基础上，将针对"逻辑晶片+逻辑晶片"和"逻辑晶片+存储晶片"两类三维芯片的基础绑定结构，研究硅通孔故障诊断与特征提取方法和硅通孔可诊断性设计。本项目将结合实际工业芯片开展实验，并研制相应的软件工具原型，为三维芯片的成品率提升提供理论方法与关键技术。

中文关键词： 三维集成电路；硅通孔；故障诊断；工艺偏差；特征提取

英文摘要： By using TSVs to bond dies in vertical, the 3D ICs achieve higher integration and better performance than tranditional 2D ICs, so it becomes one of the most important development trends of IC. As a new design and fabrication technique, 3D ICs have a low y

英文关键词： 3D IC；Through Silicon Via；Fault Diagnosis；Process Variation；Characterization