Si基子带跃迁中红外探测器研究

项目名称： Si基子带跃迁中红外探测器研究

项目编号： No.61176050

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 陈松岩

作者单位： 厦门大学

项目金额： 71万元

中文摘要： 中红外探测器在航天、国防、安全、生物、人体健康和环保等领域具有十分重要的应用价值，基于子带跃迁机理的SiGe/Si中红外探测器以其具有正入射响应、低暗电流、易于集成等优点受到国内外学者极大关注。由于SiGe/Si量子阱带阶在价带，通常Si衬底上生长的压应变SiGe/Si量子阱跃迁载流子为重空穴，跃迁几率低。本课题基于kop方法研究应变SiGe/Si量子阱结构中价带能带结构和空穴有效质量，提出采用高弛豫度、高Ge组分SiGe做赝衬底，制备张应变SiGe/Si量子阱中红外探测器，可明显改善器件的响应特性；针对高Ge组分SiGe赝衬底缺陷位错密度高、表面起伏大、弛豫不完全，提出双缓冲层结构：采用低温生长弛豫层获得高弛豫度，采用压应变缓冲层抑制位错向外延层攀移，提高赝衬底的晶体质量；在此基础上，制备2-10微米高特征响应的SiGe/Si张应变子带跃迁探测器原型器件。

中文关键词： SiGe/Si量子阱；子带跃迁中红外探测器；弛豫衬底；k？p方法；

英文摘要：

英文关键词： GeSi/Si MQWs；the mid-infrared photoelectric detectors；totally-relaxed GeSi virtual substrate；K？P method；