1.3微米波段高模式增益InAs/GaAs量子点激光器

项目名称： 1.3微米波段高模式增益InAs/GaAs量子点激光器

项目编号： No.60976038

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 李林

作者单位： 长春理工大学

项目金额： 31万元

中文摘要： GaAs基InAs应变自组织量子点体系因其优越的光电性能，成为替代目前InP基材料，制备光通信用1.3微米波段半导体激光器的热门材料之一。本项目拟优化MOCVD外延生长工艺参数，提高自组织InAs量子点阵列面密度及改善其均匀性，并分析生长参数对量子点质量的影响。拟采用较低In组分作为应变减小层（In组分小于15%），抑制或减小在高温退火过程中引起的量子点发光波长兰移，实现激光器基态发射波长在1.3微米波段。设计并制备多层（3-5层）自组织InAs/GaAs量子点激光器阵列结构，优化量子点的面密度以及GaAs势垒层，AlGaAs波导层和限制层的生长参数，加强量子点中的载流子限制。分析影响激光器阈值电流密度和模式增益的主要参数,获得最佳生长工艺条件。本项目为制备InAs量子点激光器提供理论和技术基础，实现具有高模式增益特性的室温GaAs基1.3微米波段的InAs量子点激光器。

中文关键词： InAs/GaAs量子点；1.3微米波段激光器；MOCVD；高密度；模式增益

英文摘要：

英文关键词： InAs/GaAs quantum dots；1.3μband lasers；MOCVD；High density；mode gain