ZnO衬底上低温MOCVD生长GaN单晶薄膜关键科学问题研究

项目名称： ZnO衬底上低温MOCVD生长GaN单晶薄膜关键科学问题研究

项目编号： No.60976010

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 自动化技术、计算机技术

项目作者： 杜国同

作者单位： 吉林大学

项目金额： 44万元

中文摘要： 目前GaN材料系器件主要是在Al2O3衬底上生长制备的，而GaN和Al2O3晶格失配太大，是其更广泛应用的一大障碍。ZnO和GaN晶格常数接近，晶体结构相同，是外延GaN合适的衬底材料。但，通常GaN系材料MOCVD生长温度(1100℃过高，引起ZnO衬底分解和腐蚀。所以要研究ZnO衬底上低温MOCVD生长GaN单晶薄膜的关键科学问题，主要解决N源低温离化率低的问题。为此，创新提出用我们发明的等离子增强和光照MOCVD，在ZnO衬底上(ZnO单晶和ZnO/Al2O3等)低温生长GaN系薄膜方案，研究通过等离子和光照离化NH3 和更易于离化的肼类等化合物为N源，以低温(600～700℃MOCVD生长出晶体质量良好的GaN系材料，以进一步提高GaN系薄膜晶体质量和实现GaN系薄膜材料和Al2O3衬底的剥离。为我国今后研制GaN材料系大功率、高亮度发光管、激光器和大功率电学器件打下坚实基础。

中文关键词： ZnO；低温；MOCVD；GaN；

英文摘要：

英文关键词： ZnO；low-temperature；MOCVD；GaN；