极化调制p-n结电流的高密度铁电二极管存储器

项目名称： 极化调制p-n结电流的高密度铁电二极管存储器

项目编号： No.61176121

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 江安全

作者单位： 复旦大学

项目金额： 79万元

中文摘要： 目前商业化非挥发铁电薄膜存储器采用了一个晶体管和一个铁电电容(1T/1C)的存储单元结构以及破坏性的读取方式，限制了器件的高密度集成和可靠性提高。为了克服以上困难，我们提出了基于铁电半导体的p-n结电流进行高密度信息非挥发性存储和非破坏性读取的二极管存储器。该二极管电流具有单向导通特性，其电流大小会随着电畴的重新取向而发生变化。当读电压小于电畴反转电压时，正反方向的p-n结电流比大于100；擦写电压小于5V，最快的擦写时间取决于电畴的最终翻转时间(1-2ps)，可擦写次数取决于电畴的极化疲劳次数。通过极化调制的p-n结电流的存储理念不同于基于缺陷运动所引起的导电通道反复形成或破裂的其他电阻存储器，具有更高的擦写速度和数据存储的可靠性。

中文关键词： 铁电外延薄膜生长；非破坏性电流读出；纳米存储器件；纳秒量级电学表征技术；

英文摘要：

英文关键词： epitaxial growth of ferroelectric thin films；nondestructive current readout；nanosized ferroelectric devices；nanosecond characterization technique；