强电场条件下GaN外延层和AlGaN/GaN异质结构中载流子的输运性质研究

项目名称： 强电场条件下GaN外延层和AlGaN/GaN异质结构中载流子的输运性质研究

项目编号： No.60906041

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 电工技术

项目作者： 许福军

作者单位： 北京大学

项目金额： 24万元

中文摘要： GaN基宽禁带半导体异质结构在高频、高温、高功率电子器件领域具有重大应用，而强电场（高场）条件下载流子输运行为对GaN基电子器件性能具有至关重要的影响。本申请项目以掌握GaN基材料中载流子高场输运规律为目标，以高幅值、窄脉冲电压信号下电导测量为主要方法，开展GaN外延层和AlGaN/GaN异质结构中载流子，特别是二维电子气（2DEG）的高场输运性质研究，主要内容包括高质量GaN外延层和AlGaN/GaN异质结构的MOCVD外延生长和材料微结构表征、不同温度下的高场热电子输运行为（包括本征和非本征散射机制、能量和动量驰豫机制等）、存在纵向栅电场情况下2DEG的高场输运行为等。本项目申请人所在课题组近年来一直从事GaN基异质结构中载流子输运性质研究，具备了良好的工作基础和实验条件。本申请项目的研究内容处于当前国际上GaN基电子材料、物理和器件研究的前沿领域，具有重要的科学意义和应用价值。

中文关键词： 氮化镓；高场输运；漂移速度；蒙特卡罗模拟；

英文摘要：

英文关键词： GaN；high-field transport；drift velocity；Monte Carlo simulation；