FeCMOS基本门电路辐照效应及机理研究

项目名称： FeCMOS基本门电路辐照效应及机理研究

项目编号： No.61176093

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 李建成

作者单位： 中国人民解放军国防科学技术大学

项目金额： 69万元

中文摘要： 集成电路存储器件的抗辐照特性是航天器设计过程中需要解决的关键技术问题之一。基于1T结构的铁电场效应管(FeFET)存储器作为一种新型的集成电路存储器件，在集成度、工作速度、低功耗以及抗辐照等方面表现出了非常优秀的特性，是国际上信息高新技术研究的前沿和热点之一，能满足空天设备的应用需求。本项目将以FeCMOS基本门电路的抗辐照物特性为研究对象，通过软件模拟和对器件的实测，完成对FeCMOS基本门电路电学特性的分析及其电路级SPICE建模；通过具体的总剂量辐照实验以及结果分析，完成对FeCMOS基本门电路辐照特性的分析及辐照机理研究，并且对FeCMOS基本门电路总剂量辐照效应进行电路级的SPICE建模，解决存储器设计中基本单元的建模、仿真以及抗辐照机理问题，为将来进行高性能抗辐照的铁电存储器提供坚实的理论与实践支持。

中文关键词： 抗辐照；总剂量效应；铁电场效应管；铁电存储器；SPICE建模

英文摘要：

英文关键词： anti irradiation；total dose effect；ferroelectric field effect tube；ferroelectric memory；SPICE modeling