氮化镓基LED材料的二次离子质谱定量分析研究

项目名称： 氮化镓基LED材料的二次离子质谱定量分析研究

项目编号： No.21405076

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 潘拴

作者单位： 南昌大学

项目金额： 25万元

中文摘要： SIMS可以实现高灵敏度、高深度分辨率的深度剖析，在GaN基LED的基体成分分析、掺杂控制、污染表征等方面都发挥着重要作用，是目前国内外该领域众多研究机构和主要大型企业在机理研究、工艺改进和质量提高中所依赖分析手段。然而，由于GaN基LED复杂的多层膜结构，会在深度剖析过程中产生基体效应和能量偏移，使得用SIMS很难同时实现对不同异质结层的准确定量分析。 本项目拟围绕基体效应和能量偏移两个问题，通过样品的设计与制备、基体组分表征、SIMS测试与理论分析，研究基体组分、掺杂、异质结对二次离子产额及能量分布的影响，分析半导体能带结构在SIMS表征中的作用机理。通过材料物理化学和质谱分析相结合，探索针对GaN基LED材料的SIMS定量表征新技术。

中文关键词： 氮化镓；发光二极管；二次离子质谱；基体效应；能量分布

英文摘要： SIMS with excellent detection limits and high depth resolution is a key tool for LED based on GaN, which can apply matrix composition analysis, doping control and pollution characterization. However, due to the complex multilayer structures, SIMS quantita

英文关键词： GaN；LED；SIMS；matrix effect；energy distribution