硅基锗锡合金材料外延生长机理研究

项目名称： 硅基锗锡合金材料外延生长机理研究

项目编号： No.61176013

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 成步文

作者单位： 中国科学院半导体研究所

项目金额： 72万元

中文摘要： GeSn是新一代硅基异质结构材料，其晶格常数和带宽可以在大范围内进行调节，并有可能实现直接带隙，在硅基高效发光和探测、硅基红外器件、高效全光谱太阳能电池研制、硅基化合物材料制备等方面具有重要应用前景。课题将以外延生长高质量硅基GeSn合金材料为目标，采用低温锗或低温锗锡过渡层和复合过渡层技术，研究硅基GeSn合金外延中的应变弛豫、位错控制；采用创新的CVD与MBE结合的生长模式，以及气体原子表面修饰技术，研究Sn的分凝与表面状态和应变状态的关系，研究抑制Sn分凝的方法和途径；优化材料生长工艺，制备出高质量的硅基GeSn合金材料，并试制GeSn长波长光电探测器，为硅基光电子的发展提供坚实的新的材料基础。

中文关键词： 锗锡；外延；光电探测器；硅基；

英文摘要：

英文关键词： GeSn；Epitaxy；Photodetector；Si-based；