InGaN量子点的可控生长及其在GaN基激光器有源区中的应用研究

项目名称： InGaN量子点的可控生长及其在GaN基激光器有源区中的应用研究

项目编号： No.61176125

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 王辉

作者单位： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

项目金额： 74万元

中文摘要： 本项目将进行InGaN量子点的MOCVD的外延生长及其在GaN基蓝光激光器有源区的应用研究。研究内容包括通过S-K模式自组织生长结合ALE方法实现InGaN量子点尺寸和位置分布的可控生长，重点研究利用GaN表面原子台阶的边缘效应控制InGaN量子点的位置和分布，同时将对InGaN量子点的材料结构特征、光学性质进行表征。在了解InGaN量子点基本生长规律、物理性质的基础上，以多层InGaN/GaN量子点结构为有源区制备GaN基蓝光激光器，测试分析InGaN量子点激光器的光电特性，并以此为依据确定适宜GaN基激光器InGaN量子点有源区的结构及生长方案，为最终制备高效率InGaN量子点激光器打下坚实的基础。

中文关键词： GaN 基激光器；MOCVD；InGaN 量子点；可控生长；

英文摘要：

英文关键词： GaN based laser diode；MOCVD；InGaN quantum dots；controllable growth；