面向光电子集成的高性能硅基III-V族纳米线红外光电探测器

项目名称： 面向光电子集成的高性能硅基III-V族纳米线红外光电探测器

项目编号： No.61376050

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 黄辉

作者单位： 大连理工大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 半导体纳米线由于其独特的一维量子结构，被认为是未来纳电子和纳光子器件的基本结构。本项目研究利用缓冲层调节晶体材料集成中的晶格失配应力，探索硅衬底上III-V族纳米线的可控生长（包括纳米线的生长方向和晶体结构的控制、以及轴向和径向异质结的生长等）；并采用新的纳米线桥接互联方案，以解决纳米线电极对光的遮挡和接触电阻大的问题；从而实现高晶体质量和垂直排列的异质结纳米线阵列生长、以及纳米线之间的低电阻互联；在此基础上研制兼具高耦合效率、高速和高灵敏度的硅基III-V族纳米线红外光电探测器。

中文关键词： MOCVD；III-V族纳米线阵列；纳米线晶体管；纳米线气体传感器；纳米线光电传感器

英文摘要： Semiconductor nanowires are promising building blocks for future nano-photonic and nano-electronic devices. This project will investigate the controllable growth of III-V nanowires on Si substrate, which including control over growth direction, crystal st

英文关键词： MOCVD；III-V nanowire arrays；nanowire transistors；nanowire gas sensors；nanowire photodetector.