纳米金刚石薄膜等离子体生长掺硼机理与控制研究

项目名称： 纳米金刚石薄膜等离子体生长掺硼机理与控制研究

项目编号： No.51402220

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2014

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 熊礼威

作者单位： 武汉工程大学

项目金额： 25万元

中文摘要： 纳米金刚石薄膜是一种宽禁带半导体材料，以p型掺硼纳米金刚石薄膜为基础制作的电子器件能在高温、高功率和强辐射下稳定运行，在高功率晶体管领域具有极好的应用前景。但其应用目前仍存在纳米金刚石薄膜p型掺硼稳定性，特别是掺硼后空穴浓度、空穴迁移率及电子寿命等难以精确控制的问题亟待解决。本项目采用等离子体诊断与材料性能检测相结合的方法，利用等离子体化学反应热力学、薄膜生长及半导体掺杂相关理论，从生长掺硼过程中等离子体内部发生的化学反应、薄膜在基片表面的形核生长及硼原子在薄膜中的运动等过程出发，重点探讨纳米金刚石薄膜等离子体生长掺硼的内在机理，掌握影响纳米金刚石薄膜生长掺硼的内在因素及其影响规律，并以此为基础指导纳米金刚石薄膜的生长掺硼，实现纳米金刚石薄膜p型掺硼稳定性的精确控制。通过本项目的研究，可望找出提高硼掺杂纳米金刚石薄膜半导体性能的途径，推动掺硼纳米金刚石薄膜基半导体器件的发展。

中文关键词： 纳米薄膜；薄膜晶体管；掺杂改性；；

英文摘要： Nano-crystalline diamond (NCD) thin film is a kind of wide band gap semiconductor which has wonderful application foreground in the field of high power transistor. Electronic devices based on boron-doped p-type NCD thin films have great stability under hi

英文关键词： Nanostructured films；Thin-film transistor；Doping modification；；