Co,Mn掺杂ZnO异质结的电阻开关效应及其对磁性的影响

项目名称： Co,Mn掺杂ZnO异质结的电阻开关效应及其对磁性的影响

项目编号： No.11204105

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 罗志

作者单位： 暨南大学

项目金额： 28万元

中文摘要： 电阻随机存储器(ReRAM)具有巨大的应用潜力, 电阻开关效应是ReRAM的基础, 而材料磁性的电致调控在磁存储器和自旋电子学等方面都有重大的应用价值。但是，人们对于电阻开关效应的微观物理机制还没有达成共识，在稀磁半导体氧化物磁性的电致调控方面也遇到了很大困难。另一方面，室温铁磁性及异质结中电阻开关效应的发现使得掺杂ZnO成为自旋电子学和电阻开关效应研究的理想体系之一。因此，本项目拟以Mn:ZnO 和Co:ZnO为材料，综合运用透射电镜、扫描电镜、光电子能谱、电容和磁测量等手段对基于掺杂ZnO的异质结界面微结构、电阻开关特性和磁性进行研究，探索异质结界面微结构和载流子浓度对电阻开关特性的影响, 重点研究电阻开关效应对磁性的调控作用等问题，本项目的顺利实施有助于阐明电阻开关效应的微观物理机制、澄清掺杂ZnO室温铁磁性的来源，也将为实现对掺杂ZnO的磁性的电致调控提供新的思路

中文关键词： 电阻开关效应；氧化物稀磁半导体；；；

英文摘要： Resistance random access memory (RERAM), which is based on resistance switching, is of great potential in practical applications. Electrically control of magnetic properties is a very important issue in magnetic memory and spintronics. However, the physic

英文关键词： resistive swtiching；Diluted magnetic semiconductors；；；