射频及脉冲偏压对感应耦合等离子体动力学行为影响的研究

项目名称： 射频及脉冲偏压对感应耦合等离子体动力学行为影响的研究

项目编号： No.11175034

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 物理学II

项目作者： 李雪春

作者单位： 大连理工大学

项目金额： 70万元

中文摘要： 感应耦合等离子体（ICP）源一般由两个电源驱动放电，其一是射频电源（即主电源），另一个是射频或脉冲偏压电源。本项目针对具有射频及脉冲偏压的平面线圈ICP装置，从理论上建立ICP腔室的二维等离子体流体力学输运模型。采用流体力学/蒙特卡罗混合模拟方法，研究射频及脉冲偏压对ICP动力学特性的影响，并利用Langmiur 探针、发射光谱等诊断手段进行相应的观测，以验证理论模型和数值模拟方法的可靠性。重点研究偏压电源的参数（如偏压的功率、频率，脉冲偏压的幅值及占空比等）对ICP动力学行为（如电离过程、电子的加热机制、EEDF等）、等离子体状态参数空间分布、放电模式转换及基片（或工件）表面的鞘层演化行为的影响。并根据不同的工艺过程（如等离子体刻蚀、等离子体源离子注入及等离子体掺杂等），确定偏压电源参数与主电源参数的合理匹配关系，为实际的等离子体工艺过程提供必要的参数选择依据。

中文关键词： 射频及脉冲偏压；；感应耦合放电；；动力学特性；；等离子体；；

英文摘要：

英文关键词： RF-bias or pulse-bias；inductively-coupled discharge；dynamic characteristics；plasma；