碳位移引发碳化硅纳米晶的非晶化研究

项目名称： 碳位移引发碳化硅纳米晶的非晶化研究

项目编号： No.11147165

项目类型： 专项基金项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 轻工业、手工业

项目作者： 陈冬

作者单位： 河南大学

项目金额： 5万元

中文摘要： 与单晶相比，纳米晶中无序晶界的存在使其对辐射诱导非晶化、缺陷产生和聚集的表现大不相同，因此近年来一直是理论和实验研究的热点问题。尽管实验手段可以给出辐射诱导缺陷产生的分布情况，但无法给出缺陷的动态演化规律；而第一性原理计算没有温度效应，更难以处理如此庞大的纳米晶体系和研究加载过程中微观结构的动态演化。鉴于纳米晶成分和微结构的复杂性，分子动力学方法为我们提供了处理这种体系的有效手段，然而已有研究仍未从微观机制上对实验观察到的非晶态给出合理解释，且缺陷在非晶化过程中的内在作用机理尚不明确，本项目将采用分子动力学方法结合改进型Tersoff势模拟SiC纳米晶体系中多次C原子位移导致完全非晶化的动态过程，通过非晶态SiC中缺陷的表征手段，分析各种缺陷的分布规律及其在非晶化过程中所起的重要作用，寻找非晶化的成核区域，从原子水平探索非晶化微观机制，为设计耐辐射诱导非晶化的新型纳米晶陶瓷材料提供指导。

中文关键词： 纳米晶；分子动力学；缺陷演化；缺陷分布；内在机理

英文摘要：

英文关键词： Nanocrystalline；molecular dynamics；defect evolution；defect distribution；intrinsic mechanisms