利用电子自旋共振研究磁性金属多层膜中的逆磁电耦合效应

项目名称： 利用电子自旋共振研究磁性金属多层膜中的逆磁电耦合效应

项目编号： No.51371192

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 孙阳

作者单位： 中国科学院物理研究所

项目金额： 85万元

中文摘要： 磁电耦合效应包括正逆两方面，正磁电耦合效应是指利用磁场控制材料的电学性质（如磁电阻），而逆磁电耦合效应是指利用电场控制材料的磁性质。在过去的二十多年中，以磁电阻为代表的正磁电耦合效应已经得到了广泛的研究，并推动了自旋电子学的发展。然而，逆磁电耦合效应的研究还处于探索阶段，尚未得到实际应用。单相材料中的逆磁电效应通常都很微弱。在磁性多层膜结构中，利用界面处的耦合效应（应力传递，电荷积累，交换偏置等），有望实现室温下大的逆磁电耦合效应。本项目计划利用独特的电场下电子自旋共振技术研究一系列铁磁金属多层膜中的逆磁电耦合效应，阐明其磁电耦合的微观物理机制，寻找到具有应用前景的磁性多层膜结构。本项目采用的实验技术为国内独创，可以测量外加电场下磁性薄膜的电子自旋共振谱（包括铁磁共振、顺磁共振和反铁磁共振等）的变化，进而获得逆磁电耦合效应随电场、温度、时间、角度等参数的变化。

中文关键词： 磁电耦合；电子自旋共振；非易失存储器；；

英文摘要： Magnetoelectric (ME) effect includes two sides, the direct and the converse effects. The former refers to controlling electric properties by magnetic fields (such as magnetoresistance) and the latter refers to the manipulation of magnetic properties by el

英文关键词： magnetoelectric coupling；electron spin resonance；nonvolatile memory；；