InGaAsSb/GaAlAs纳米线异质结量子点外延生长及其单光子发射机理

项目名称： InGaAsSb/GaAlAs纳米线异质结量子点外延生长及其单光子发射机理

项目编号： No.61176012

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 牛智川

作者单位： 中国科学院半导体研究所

项目金额： 72万元

中文摘要： 本项目拟开展InGaAs(Sb)/GaAlAs纳米线异质结量子点的分子束外延生长。在金属纳米颗粒催化和图形衬底上，用分子束外延生长可定位控制InGaAs(Sb)纳米线，通过在纳米线中外延GaALAs/InGaAs异质结形成异质结量子点，研究纳米线异质结量子点结构参数如直径、厚度、缺陷、材料组分等的外延控制技术机理。研究基于结构的二能级激子态非经典光辐射效应。采用微区光谱、二阶关联度光谱分析分析研究结构参数如纳米线直径和组分、异质结厚度、掺杂浓度等对单光子发射统计、激子态迟豫等量子物理效应的影响，针对提高单光子发射效率、波长控制、降低背景噪声等研究目标，研究这种纳米线异质结量子点结构的优化方案，为其在单光子发射等量子信息器件中的应用奠定物理基础。

中文关键词： 纳米线；量子点；单光子；自催化；分子束外延

英文摘要：

英文关键词： nano wires；quantum dots；single photon；Self-catalyzed；molecular beam epitaxy