AlGaN基量子阱的界面陡峭技术及其增强量子限制效应

项目名称： AlGaN基量子阱的界面陡峭技术及其增强量子限制效应

项目编号： No.61204101

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 信息四处

项目作者： 蔡端俊

作者单位： 厦门大学

项目金额： 28万元

中文摘要： 深紫外光电子器件已成为III族氮化物材料的科学和应用研究的新重点。但目前，AlGaN基深紫外LED的发光效率普遍还不到1%。其中的关键问题是如何增强有源层对载流子的量子限制效应，提高量子效率，而这就与量子阱界面的陡峭程度密切相关。本课题将通过研究高Al组份AlGaN生长动力学机理，探索量子阱界面元素互扩散问题及其控制技术，研究陡峭的界面形成的条件及其对材料光学性质的影响。采用MOCVD方法，在界面处理技术上，通过生长中断、低温插入层、扩散阻挡层等技术，提高界面的平整度和陡峭度，从而达到增强量子限制效应的目的。在表征技术上，采用HRTEM、HRXRD、AES等高分辨测试手段，深入研究量子阱界面处的扩散深度、界面陡峭度等性质，利用变温阴极荧光－STM复合系统，结合第一性原理模拟计算，研究量子阱微区的量子能级间跃迁对发光效率的影响。揭示新规律、提出新技术，为深紫外器件的发展提供科学数据和技术支持

中文关键词： 量子阱；AlGaN；陡峭界面；；

英文摘要： AlGaN based Deep ultraviolet (DUV) device has shown its advantages over those shortcomings, e.g., limited output-powers, poor lifetimes and instability, of traditional devices and shown its potential applications in various optoelectronic fields. These ap

英文关键词： Quantum wells；AlGaN；Abrupt interface；；