集成电路中高能单粒子径迹的电子学特性研究

项目名称： 集成电路中高能单粒子径迹的电子学特性研究

项目编号： No.61176096

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 信息四处

项目作者： 龚敏

作者单位： 四川大学

项目金额： 64万元

中文摘要： 抗高能单粒子辐射效应是集成电路在空间应用必须解决的问题。过去人们主要关心由电离辐射引起的"单粒子翻转"效应，并已经发展了有效的抗辐射加固技术。许多研究已经表明，高能粒子能够在半导体、介质和金属材料中产生直径为几~几十纳米、贯穿深度很大（几十微米）的纳米管状径迹。如果一条高能单粒子径迹线形成沟道跨过器件的某一界面势垒层，器件的性能就有可能被改变而失效。本项目以深亚微米集成电路的MOS单元结构为基本对象，提出开展对高能单粒子径迹沟道效应机理、电学特性、器件敏感区等问题的实验研究，和高能单粒子径迹在器件中的等效模型研究。为满足新一代深亚微米集成电路在空间应用中面临的更高的可靠性要求，开发相应的抗高能单粒子径迹沟道效应技术打下基础。

中文关键词： 集成电路；单粒子径迹；电学特性；等效模型；抗辐射加固

英文摘要：

英文关键词： Integrated circuit；single particle track；Electrical properties；Equivalent model；Radiation-hardened