项目名称: 施主和受主掺杂SrTiO3单晶的阻变机制研究
项目编号: No.11404093
项目类型: 青年科学基金项目
立项/批准年度: 2014
项目学科: 数理科学和化学
项目作者: 孙献文
作者单位: 河南大学
项目金额: 30万元
中文摘要: 钙钛矿结构SrTiO3易通过元素掺杂调制其光电性能,在制备新型非易失性阻变存储器方面有潜在应用价值。然而至今其阻变机制尚不明确,研究表明界面势垒和氧空位常共同存在于SrTiO3阻变器件中,然而施主掺杂SrTiO3的阻变一般归因于界面势垒改变,而受主掺杂SrTiO3的阻变归因于氧空位导电细丝的形成和断裂。尚未明确的阻变机理严重制约了其研发和应用。针对该问题,本项目拟以不同元素掺杂的SrTiO3单晶为研究对象,综合分析"金属/SrTiO3"结构器件的阻变过程中氧空位和界面势垒所起作用。主要开展工作为:(1)采用磁控溅射和双室多元蒸发镀膜技术在SrTiO3单晶上沉积金属,并通过光刻技术构筑电极图形;(2)研究界面势垒、缺陷等对阻变性能的影响;(3)结合光电测试及理论分析,建立界面势垒、氧空位和阻变机制之间的有机联系和清晰完整的理论模型。本项目的实施将为研发高性能阻变存储器提供理论依据和科学指导。
中文关键词: STO;电致阻变;界面势垒;界面缺陷;
英文摘要: The optical and Electrical properties of perovskite SrTiO3 is easily modulated through doping, so there are a wide range of potential applications in the preparation of the novel nonvolatile resistive switching memory. However, so far the resistive switch
英文关键词: STO;resistive switching;interface barrier;interface defect;