择优取向铜柱凸点的键合技术与理论研究

项目名称： 择优取向铜柱凸点的键合技术与理论研究

项目编号： No.61376107

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 无线电电子学、电信技术

项目作者： 胡安民

作者单位： 上海交通大学

项目金额： 80万元

中文摘要： 随着微电子产品向高密度、轻小型化的快速发展，通过凸点键合的倒装或叠层式封装已成为主流封装形式，铜柱凸点具有优异的导热和导电性能，同时又可以实现高密度互连，是一种新型的、高密度的封装技术。然而由于单个铜柱凸点所承载的电、热和机械载荷日益加剧，如何抑制界面金属间化合物的过度生长，提高其在多场（电场、热场）等耦合作用下抗原子迁移能力是目前业界关注热点。本项目拟通过电沉积法制备出的具有不同择优取向的Cu（Ni）层，研究择优取向的Cu（Ni）金属与Sn基焊料之间的界面反应规律、界面金属间化合物生长规律，界面孔洞萌生及扩展机制，界面裂纹萌生机制。期望为工业界提供一种性能优异的、高可靠性的择优取向铜柱凸点。

中文关键词： 铜柱凸点；锡须；择优取向；界面金属间化合物；界面空洞

英文摘要： With the rapid development of the miniaturization and high performance of the microelectronic devices, flip chip and stacked package have become the mainstream package processes. Copper pillar bump, which possesses good electrical and thermal conductivity

英文关键词： Copper pillar bump；Tin whisker；Prefferred orientation；Intermetallic compound；Kirkendall voids