太阳电池用铸造多晶硅中晶体缺陷的电学复合性能研究

项目名称： 太阳电池用铸造多晶硅中晶体缺陷的电学复合性能研究

项目编号： No.60906002

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 余学功

作者单位： 浙江大学

项目金额： 21万元

中文摘要： 铸造多晶硅是最主要的太阳电池材料，但由于其中存在大量的晶体缺陷，是非平衡少数载流子的有效复合中心，所以太阳电池的光电转换效率难以得到提高。本课题是系统地开展铸造多晶硅中各种晶体缺陷（包括位错、晶界以及杂质沉淀）的电学复合性能研究。主要研究这些晶体缺陷的电活性，在硅禁带中引入的缺陷态密度和其能级位置及对载流子的俘获截面，重点研究位错、晶界与杂质相互作用后，其电学复合性能的变化行为，同时研究磷吸杂和氢钝化处理对晶体缺陷的电活性的影响。最终阐明各种晶体缺陷复合非平衡少数载流子的机理。目的是控制和利用铸造多晶硅中晶体缺陷，为提高太阳电池的转换效率提供重要的科学基础研究。

中文关键词： 多晶硅太阳电池；晶界；位错；杂质沉淀；电学复合

英文摘要：

英文关键词： Multicrystalline silicon；grain boundary；dislocation；impurity precipitate；recombination activity