用于电阻型存储器的电致阻变材料的制备和存储性能研究

项目名称： 用于电阻型存储器的电致阻变材料的制备和存储性能研究

项目编号： No.60801043

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2009

项目学科： 金属学与金属工艺

项目作者： 罗强

作者单位： 中国科学院物理研究所

项目金额： 18万元

中文摘要： 电阻型随机存储器（RRAM）是基于CER效应提出的新一代非易失性随机存储器，它具有很多其他类型的随机存储器无法比拟的优越性，将会成为下一代核心内存，已经引起世界很多大公司的大量投入与竞争，但是有关CER效应的物理机制存在较多争论。本项目利用聚焦离子束等技术将制作的原型器件进行切割解剖，在对器件进行读写操作时，原位表征这些氧化物材料以及界面的微结构。另外，我们利用多壁碳纳米管作为一端电极来制作器件，将器件功能区尺寸缩小到了纳米量级；我们还制作了三维悬浮的纳米接触器件，用以排除可能存在的不明接触区域带来的影响。在研究过程中发现了一些新奇的物理现象，对于我们理解RRAM的物理机制具有重要意义。

中文关键词： 电阻型随机存储器;非易失性存储;电致阻变材料

英文摘要： The resistance random access memory (RRAM) is one of the promising candidates of next-generation nonvolatile memories, which is based on the colossal electro-resistance effect. RRAM has attracted much attentions because of its further superior properties than others such as low power consumption, high operation speed, small size and simple structure. However, some controversies regarding resistive switching mechanisms still exist. In our project,focused ion beam (FIB) technology was used to dissect the cross-section of the prototype devices. The microstructure was characterized in UHR-SEM and TEM, while electic pulse was applied to the sample. Multiwalled carbon nanotubes were used to construct devices of nanosize. Free-standing nanodevices were also fabricated to demonstrate the intrinsic mechanisms by removing the effect of unclear contact region.

英文关键词： RRAM; nonvolatile memory;electroresistance materials