纳米CMOS器件中的本征随机效应的建模和模拟及其对数字电路的影响

项目名称： 纳米CMOS器件中的本征随机效应的建模和模拟及其对数字电路的影响

项目编号： No.61204043

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 信息四处

项目作者： 叶韵

作者单位： 北京大学

项目金额： 30万元

中文摘要： CMOS器件正在朝着22纳米集成电路代的规模等比例缩小。这样的进程伴随着各种各样越来越严重的随机效应，它们带来了器件中一些关键参数的浮动，由此对CMOS等比例缩小造成了挑战。CMOS中的各种随机效应可以被分为两大类：本征随机效应和制造工艺相关的随机效应。制造工艺相关的随机效应可以通过对制造技术进行改进来减小或者消除，而本征随机效应和CMOS自身结构相关联，无法通过制造工艺的改进来减小，所以本征随机效应被人们认为是CMOS等比例缩小进程中的终极瓶颈之一。基于此，我们提出"纳米CMOS器件中的本征随机效应的建模和模拟及其对数字电路的影响"项目，希望通过相关物理研究， 建立表述这些随机效应导致的参数浮动的简约模型，通过在电路仿真工程SPICE中的实现， 可以帮助电路设计者设计出更可靠更稳定的电路。

中文关键词： 纳米级CMOS；本征随机效应；集约模型；模拟方法；数字电路

英文摘要： CMOS technology is expected to enter the 10nm regime for future integrated circuits (IC). Such aggressive scaling leads to vastly increased variability, posing a grand challenge to robust IC design. Variations in CMOS are often divided into two types: int

英文关键词： Nano-scale CMOS；intrinsic variation；compact modeling；simulation method；digital circuit