溶液晶体生长成核研究

项目名称： 溶液晶体生长成核研究

项目编号： No.50976127

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2010

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 李明伟

作者单位： 重庆大学

项目金额： 37万元

中文摘要： 成核和生长是溶液晶体生长的两个重要环节。但对成核的研究远不及对生长的研究。本项目紧密围绕成核环节，从实验、理论分析并结合数值模拟开展成核研究。包括以下几方面内容：（1）从测得的成核诱导期计算界面张力，并利用经典成核理论，计算临界晶核半径、临界吉布斯自由能和成核率等热力学和动力学参数；（2）结合对微滴浓度场的模拟结果，用项目组提出的"蒸发成核法"实验，借助原子力显微镜，观测临界晶核大小和形状；（3）用蒙特卡洛法计算临界晶核大小和成核功，并由非平衡统计热力学理论出发，计算成核诱导期；（4）比较分析实验结果和理论分析结果, 探讨经典成核理论的合理性，探寻成核的涨落机制。项目的完成可望对溶液晶体生长的成核特性和规律有更深入的认识，对经典成核理论存在的一些问题作出阐释，并有望总结出成核的一些新机制；开拓由非平衡统计热力学理论出发计算成核诱导期和用蒙特卡洛法计算溶液晶体生长临界晶核大小和成核功的途径。

中文关键词： 蒸发成核法；溶液晶体生长；溶液稳定性；原子力显微镜；临界晶核

英文摘要：

英文关键词： nucleation by evaporation；crystal growth from solution；stability of solution；Atomic force microscope；critical nucleus