第二类半导体纳米晶异质结构的空穴自旋弛豫动力学研究

项目名称： 第二类半导体纳米晶异质结构的空穴自旋弛豫动力学研究

项目编号： No.11174371

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2012

项目学科： 物理学I

项目作者： 何军

作者单位： 中南大学

项目金额： 62万元

中文摘要： 实现固态信息器件的一个最主要的挑战是寻找不容易受退相干效应影响的量子比特系统。最新研究表明：与电子自旋相比较，半导体量子点的空穴自旋因为量子限域效应以及不受接触超精细相互作用的影响而具有更强的抗退相干性。量子点作为优异的模型系统，研究者可以艺术级地控制其尺寸、形状与化学构成，从而精确调节激子与电荷载流子的各种物理性质。本项目利用新型超快非线性激光光谱技术研究以碲化镉-硒化镉、氧化锌-硫化锌为代表的第二类半导体纳米晶异质结构的空穴自旋弛豫动力学与退相干过程及其内在物理机制，计算第二类半导体纳米结构的激子精细结构与电子-空穴波函数分布, 掌握空穴自旋的光注入、空间输运与光学检测过程，利用电子-空穴交换相互作用精确控制室温下的空穴自旋弛豫速率，延长室温下量子点空穴的自旋退相干时间。本项目对探索基于空穴自旋的自旋电子学器件应用具有重要意义。

中文关键词： 碲化镉；氧化锌；异质结构；自旋弛豫；交换相互作用

英文摘要：

英文关键词： CdTe；ZnO；heterostructure；spin relaxation；exchange interaction