AlN晶体的高效P型掺杂

项目名称： AlN晶体的高效P型掺杂

项目编号： No.51372267

项目类型： 面上项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 一般工业技术

项目作者： 王文军

作者单位： 中国科学院物理研究所

项目金额： 80万元

中文摘要： 氮化铝（AlN）是一种宽带隙半导体材料，在紫外光电子和高温、高功率电子器件等方面具有很好的应用前景。但是AlN能够应用的前提是实现良好的n型和p型掺杂。n型AlN可以通过硅(Si)掺杂实现，而p型AlN却依然是个世界性难题。本项目将利用物理气相传输(PVT)法进行Be-O、Mg-O、C-Si等共掺杂AlN生长研究，通过施主-受主共掺杂来提高受主原子的掺入量，并使受主能级与施主能级同时浅化，实现高效p型AlN掺杂，使空穴浓度达到器件需要的水平。我们将采用理论和实验相结合的方法，利用基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理计算方法，建立掺杂AlN的超晶胞体系进行模拟，力求分析找出最优掺杂组合及配比，指导实验计划，并充分利用自主研发的晶体生长设备和长期以来在PVT法生长AlN晶体和掺杂AlN方面积累的经验，生长出纯度高、缺陷少的共掺杂AlN单晶，对其进行结构和物性表征，逐步提高p型掺杂效率。

中文关键词： 氮化铝；晶体生长；p-型；掺杂；

英文摘要： Aluminum nitride (AlN) is a kind of wide bandgap semiconductor materials. It has very good application prospect in ultraviolet-photoelectronic and high temperature, high power electronic devices, etc. However, in order to realize the application of AlN, i

英文关键词： AlN；crystal growth；p-type；doping；