二氧化硅薄膜的原子层沉积反应机理及前驱体设计

项目名称： 二氧化硅薄膜的原子层沉积反应机理及前驱体设计

项目编号： No.21203169

项目类型： 青年科学基金项目

立项/批准年度： 2013

项目学科： 数理科学和化学

项目作者： 韩波

作者单位： 中国地质大学（武汉）

项目金额： 24万元

中文摘要： 研发二氧化硅低温原子层沉积前驱体，是半导体工业向小型化、高集成度发展的关键技术之一。要准确的判断前驱体的反应活性，进而设计出满足工业要求的前驱体，就必须深入地理解二氧化硅薄膜的原子层沉积反应机理。本项目将利用第一性原理密度泛函理论计算，系统地研究前驱体在衬底表面的吸附、分解以及配体脱除等一系列原子层沉积反应历程，比较具有不同结构特征的前驱体的表面反应行为，揭示前驱体的原子层沉积反应的一般规律，探明前驱体的结构对其原子层沉积反应行为的影响机制，并据此设计出若干适用于低温沉积二氧化硅薄膜的前驱体。项目的预期研究成果不仅能够指导二氧化硅原子层沉积前驱体的设计，而且对研究理解各类原子层沉积反应行为也具有普遍的参考价值和指导作用。

中文关键词： 原子层沉积；前驱体设计；表面反应机理；二氧化硅薄膜；密度泛函理论

英文摘要： Developing precursors for fabricating silicon dioxide thin film at low temperature via atomic layer deposition (ALD) technology is one of the most critical issues to progressing the miniaturization and ultra-large scale integration of semiconductor indust

英文关键词： atomic layer deposition；precursor design；surface reaction mechanism；silicon dioxide thin film；density functional theory